Nintendo Switch 2 可能采用三星第 5 代 V-NAND

最新传闻,任天堂 Switch 2 可能会使用三星第五代 V-NAND。据 视频博主 Doctre81 在 YouTube 上分享的一段新视频报道称,一位直到2019年前在三星电子设备解决方案部门担任高级主任的 LinkedIn 页面中,其关键的工作和责任之一,就是领导了一款未指明的任天堂游戏卡的 NAND 闪存控制器设备的开发。在关键成就中,这位前三星员工还列出了由三星存储第五代 V-NAND 闪存驱动的安全 eMMC 卡的开发,这似乎不仅与任天堂未明确的游戏卡的 NAND 闪存控制器设备相符,并与其他一些信息相符,例如针对未指定的专有硬件的创新安全性以及设计新的 PUF IP(物理不可克隆功能)。

任天堂 Switch 2 需要比Switch更快的读取速度并不奇怪,但任天堂使用三星第五代 V-NAND 确实是个好的消息,虽然从今天的标准来看,这种技术有点过时了,因为三星正在研发第九和第十代 V-NAND,后者计划于2025年发布。不过,第五代提供的高达1.4 GB/s 的速度对于任天堂的新游戏机来说应该足够了,至少比上一代有了重大的提升。​

关于任天堂 Switch 2,我们知之甚少,除了其可能使用的 T239 芯片将远远超越目前任天堂系统的 Tegra X1 芯片,因为据说该款芯片将支持 NVIDIA DLSS 和光线重建等功能,很可能会使其成为市场上最好的光线追踪的游戏主机。

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