过去几年，三星的半导体芯片代工业务大幅放缓。除了生产Exynos芯片的三星System LSI部门外，没有一家知名芯片公司使用过三星代工的3nm 和第二代 4nm 工艺节点。不过，该公司仍在继续推进更新的芯片工艺节点的开发，包括 2nm 节点。​

《韩国商业报》的一份新报道显示，三星代工正在开发下一代 Gate All around（GAA）技术，该技术将用于该公司的 2nm 工艺技术。基于该技术的 2nm 半导体芯片计划于明年量产。据报道，这家韩国公司将在 2024 年 VLSI 研讨会上发表一篇关于第三代 GAA 技术的论文，该技术将用于 2nm 芯片。本届博览会将于2024年6月16日至20日在美国夏威夷举办。

VLSI 研讨会是讨论该领域顶尖技术的全球三大半导体会议之一。另外两个顶级半导体芯片会议是国际电子器件会议（IEDM）和国际固态电路会议（ISSCC）。

GAA 是一种新型晶体管设计，可提高电流和功率效率。它是随着三星代工厂的第一代 3nm 工艺节点推出的。然而，它尚未被任何其他芯片公司使用，包括 AMD、苹果、联发科、英伟达和高通。三星自己的系统 LSI 部门预计将率先使用三星代工厂的 3nm 工艺来生产用于手机和智能手表的下一代 Exynos 芯片。

与采用三星代工厂 5 纳米工艺制造的芯片相比，第一代 3 纳米 GAA 芯片的面积减少了 16%，性能提高了 23%，能效提高了 45%。第二代3nm工艺预计芯片尺寸缩小35%，性能提升30%，能效提升50%。据报道，第三代GAA将用于2nm芯片，面积减少50%，性能提高50%。

三星的主要竞争对手台积电尚未在其先进工艺节点中使用 Gate All around 技术。三星计划在今年下半年量产第二代 3nm GAA 芯片（如 Galaxy S25）。英特尔和台积电预计将在其下一代 2nm 工艺中使用 GAA。​